在微電子行業(yè)中，對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散需要用到硼或者磷源，離子注入是8〃及以上尺寸硅片最常用的方式。液態(tài)或者氣態(tài)源廣泛用在均勻性要求不高的工藝中，而固態(tài)擴(kuò)散源是一種高要求擴(kuò)散的優(yōu)良的解決方案。

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圣戈班從上世紀(jì)70年代開始開發(fā)固態(tài)源工藝，目前提供全方位的產(chǎn)品和技術(shù)支持。PDSR是Planar Diffusion Sources (平面擴(kuò)散源）的商標(biāo)。

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PDS固態(tài)源在世界范圍內(nèi)有非常多的商業(yè)量產(chǎn)的實(shí)績(jī)，在中國早期有非常多的工程師了解這個(gè)工藝。由于離子注入和液態(tài)氣態(tài)有非常多的從業(yè)者從而導(dǎo)致整個(gè)工藝為行業(yè)所熟悉，高端的會(huì)選用離子注入，低端的會(huì)選擇液態(tài)氣態(tài)。

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目前由于以下三點(diǎn)，PDS固態(tài)源收到了越來越多的詢盤：

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1、國家環(huán)保要求，液態(tài)氣態(tài)源的生產(chǎn)會(huì)面臨一定的環(huán)保風(fēng)險(xiǎn)；

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2、MEMS器件的生產(chǎn)擴(kuò)張，高濃度擴(kuò)散需要熱擴(kuò)散工藝；

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3、中高品位產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)。

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PDS固態(tài)源的優(yōu)勢(shì)

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1、首先是均勻性良好，一般使用者反饋片內(nèi)和片間均勻性可以控制到1%~2%。且成品缺陷程度低；

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2、其次是PDS固態(tài)源無毒無害，相較于液態(tài)或者氣態(tài)源，PDS的設(shè)備毒害防護(hù)要求很低。從液態(tài)或者氣態(tài)源改造為固態(tài)源僅需要修改氣路，添置專用石英舟等簡(jiǎn)單改造即可使用；

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3、使用固態(tài)源產(chǎn)生的參雜劑封閉在硅片周圍，不會(huì)附著在設(shè)備管道或者門上，易于設(shè)備清理和維護(hù)；

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4、可以簡(jiǎn)單通過擴(kuò)散溫度，時(shí)間和氣流來控制需要的目標(biāo)產(chǎn)品，不連續(xù)生產(chǎn)的時(shí)候也方便取出和保存；

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5、通過工藝中間的膜厚測(cè)量可以預(yù)判生產(chǎn)品質(zhì)；

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6、跟離子注入相比，固態(tài)源一次擴(kuò)散一個(gè)舟可以擴(kuò)散25片，效率很高。

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PDS固態(tài)源的適用性

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1、PDS固態(tài)源目前可以做到的極限尺寸為8〃；

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2、只能適用于水平爐管而不能用于垂直爐管；

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3、原來液態(tài)氣態(tài)擴(kuò)散路需要進(jìn)行氣路改造才能使用，過程需要通氮?dú)猓?/span>

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4、需要專用的石英舟配合。

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圣戈班從事該產(chǎn)品的生產(chǎn)快50年，過去有自己的擴(kuò)散爐設(shè)備，在一次又一次的售前售后技術(shù)支持中，累計(jì)大量的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù)以及問題解決的方案。

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